您必须了解的FET应用

你知道场效应管的应用吗？对于工程师而言，日常的研发和设计通常会涉及晶体管，因此有必要了解此组件。

众所周知，由于场效应管的独特特性，它具有高输入阻抗，低噪声和良好的热稳定性的优点。

我们知道，场效应晶体管的类型很多，根据结构的不同分为结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。

绝缘栅场效应晶体管也称为金属氧化物导体场效应晶体管，或简称为MOS场效应晶体管。

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今天，我们将从FET应用的角度来看一看。

我们需要了解什么？首先，如何防止绝缘栅FET击穿。

由于绝缘栅FET的输入阻抗非常高，因此就是如此。

优点，但是在使用中带来了新的问题。

由于高输入阻抗，当带电物体靠近电网时，电网中感应的电荷很难通过该电阻放电，并且电荷的积累会引起电压升高，尤其是在交流电相对较小的情况下-电极电容，少量电荷会产生较高的电压，因此在焊接过程中，该管未被使用或已击穿或折射率下降，尤其是MOS管，其绝缘层非常薄，更容易发生故障和损坏。

为了避免这种事故，关键是避免栅极浮起，即，必须在栅极和源极之间保持直流路径。

通常，在栅极和源极之间连接一个电阻（100K以内）以防止过多的累积电荷，或者连接一个稳压管以防止电压超过一定值。

三个电极在存储过程中应短路，并放置在带屏蔽的金属盒中。

将管子焊接到电路上或移开时，应首先将每个电极短路；安装测试中使用的烙铁应处于良好状态。

为了接地，最好在焊接前拔下烙铁的电源。

2.如何判断结型场效应管的电极将万用表放在RX1K块中，用黑色测试笔触摸假定的网格G引脚，然后用红色测试笔触摸其他两个引脚，如果电阻相对较小（大约5到10欧姆），然后将红色和黑色测试导线交换以进行另一次测量。

如果电阻很大（无穷大），则表示它们都是反向电阻（PN结反向），属于N通道管，并且黑色测试笔接触的管是Grid G，并说明原来的假设是正确的。

再次测得的电阻值很小，表明它是一个正向电阻，属于P沟道场效应晶体管，并且黑米笔也触及了栅极G.如果没有发生上述情况，则可以更换红色和黑色测试导线，并且可以根据上述方法执行测试，直到判断出网格为止。

通常，结效应管的源极和漏极在制造过程中是对称的。

因此，在确定了栅极G之后，由于这两个电极可以互换使用，因此不必判断源极S和漏极D，因此不需要区分。

源极和漏极之间的电阻约为几千欧姆。

三，估计场效应管的放大能力万用表的RX100模块可用于估计场效应管的放大能力。

具体测试如下：红色测试笔将源极S和黑色测试线连接到漏极D。

这等效于向FET添加1.5伏电源。

此时，指针指示DS电极之间的电阻。

然后用手指捏网格G.人体感应电压作为输入信号添加到电网。

由于场效应管的放大，Uds和Id都会改变，这等效于DS电极之间的电阻改变。

可以观察到手的大摆幅。

如果手压格栅的手很小，则意味着场效应管的放大能力很弱。

如果手不动，则表明场效应管已损坏。

请注意，大多数FET的Rds增大，并且手表的指针向左摆动，而少数FET的Rds减小，并且手表的指针向右摆动。

但是，无论手表指针的方向如何摆动，只要能够显着摆动，镜筒都具有放大的能力。

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但是，由于MOS管的输入电阻较高，因此