关于新型的1200V碳化硅（SiC）MOSFET-“ TW070J120B”分析

在当今高度发展的科学技术中，各种各样的高科技出现在我们的生活中，为我们的生活带来便利，那么您是否知道这些高科技可能包含的碳化硅（SiC）MOSFET？东芝电子设备和存储公司（“东芝”）今天宣布推出新的1200V碳化硅（SiC）MOSFET-“ TW070J120B”。

该产品面向工业应用（包括大容量电源），并将于今天开始发货。

与IGBT不同，SiC-MOSFET没有导通电压，因此可以在从小电流到大电流的宽电流范围内实现低传导损耗。

功率MOSFET采用碳化硅（SiC）的新材料。

与常规的硅（Si）MOSFET和IGBT产品相比，它具有高耐压，高速开关和低导通电阻的特性，有利于降低功耗和简化系统。

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另一方面，Si-MOSFET的导通电阻上升到室温（150°C）的两倍以上。

与Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET的上升速率相对较低，因此易于进行热设计，并且高温下的导通电阻也非常高。

低的。

新产品采用东芝第二代芯片设计和生产[1]，可以提高碳化硅MOSFET的可靠性，并实现低输入电容，低栅极输入电荷和低漏源特性。

-反抗。

与1200V硅绝缘栅双极型晶体管（IGBT）“ GT40QR21”相比。

由东芝推出的“ TW070J120B”关断开关损耗减少了约80％，开关时间（下降时间）缩短了约70％，并且可以在不超过20A的条件下使用[2]，以在漏极电流下提供低导通电压。

SiC-MOSFET的漂移层阻抗低于Si-MOSFET的漂移层阻抗，但另一方面，根据当前的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率相对较低，因此，沟道部分高于硅器件。

其栅极阈值电压设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内，这有助于降低发生故障的风险（意外打开或关闭）。

此外，具有低正向电压的内置碳化硅肖特基势垒二极管（SBD）也有助于减少功率损耗。

当将SiC-MOSFET的阈值电压定义为几个mA时，它等于Si-MOSFET，在室温下约为3V（常闭）。

在大容量AC-DC转换器，光伏逆变器和大容量双向DC-DC转换器等工业应用中，这种新型MOSFET不仅将达到通过降低功率损耗来提高效率的目的，而且还将减少设备的数量。

大小有助于。

以上是对碳化硅（SiC）MOSFET的详细分析，值得每个人学习。

希望您在与您取得联系时能给您一些帮助。

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