集成注入逻辑

自集成注入逻辑电路诞生以来，它发展迅速，极大地推动了双极大规模集成电路的发展。

它具有高集成度，功耗延迟时间积，制造工艺低，可与同一芯片上的模拟集成电路和其他数字电路相结合。

它的出现标志着双极集成电路集成和功耗的巨大突破，为双极大规模集成电路的发展开辟了新的途径，并受到越来越多的关注。

在双极大规模集成电路的开发中，遇到了许多困难。

综上所述，大致有三点：（1）单门电路的结构相对复杂，有许多元件。

虽然经常使用一些简化的门结构，但仍然不够简单; （2）需要隔离技术。

在一个普通的双极电路中，隔离占芯片面积的40-60％，这是复杂工艺的主要原因; （3）需要电阻器，这使得难以降低功耗并减小芯片面积。

在开发双极大规模集成电路的实践中，人们逐渐意识到：（1）饱和开关电路使用共发射极晶体管作为基本开关元件。

如果衬底用作发射极区，则可以省略晶体管。

（2）电路中的电阻是消耗功率和大表面积的无源元件，如更换有源元件，可以降低功耗，提高集成度; （3）积分电路中的晶体管具有寄生晶体管效应，应该最小化或消除。

然而，如果寄生晶体管可以有效地用作电路设计中的组件，则可以增加集成并且可以简化工艺。

正是沿着这些路线，人们选择了最简单的直接耦合晶体管逻辑电路作为改进的对象，并成功开发了I2L电路。

1.集成注入逻辑电路的优点：1，双极电路制造工艺简单，芯片面积小，集成密度高; 2低功耗，可在低电压和低电流下工作，更好功耗是延迟时间的乘积。

2，集成注入逻辑电路的缺点：1低速，主要原因是PNP横向晶体管PNP电流增益低，NPN晶体管结电容较大，基极区串联电阻较大，导致交叉流源逆变管充电放电时间较长;在图2中，NPN晶体管的基极区域中存在少数载流子减速场（发射极区域在下方，集电极区域在上方），截止频率低; 3I2L电路本身是饱和开关电路。

晶体管内存储的电荷过多会增加电路的切换时间。

此外，IL电路具有小的逻辑摆幅，差的抗干扰能力和多个I2L逻辑电路组，并且存在注入电流可以均匀地分布在每个电路块中的问题。

1.反相NPN管的共发射极电流增益β1增加了发射极区（N型衬底或N外延层）与基极区的杂质浓度比; 2增加了发射极区和基极区中少数载流子的寿命;减小基区的宽度;如图4所示，使集电极结与发射极结面积之比接近15，以改善表面状态，从而降低表面复合率。

2，基极串联电阻rB反向使用NPN管1）对电流增益的影响β2）对输出低电平的影响VOL 3）对传输时间的影响tpd 3，共基极电流增益横向PNP管α1基区的宽度小，即注入带到NPN管底部的间距小; 2少数修剪机的使用寿命尽可能长（因此不需要进行黄金操作）; 3发射器底部区域与侧面区域的比例尽可能地接地很小，因此注射条应采用窄条形; 4两个发射器的发射比尽可能大。

对于那边，PB＆amp; gt;＆amp; gt; PC是必需的，而对于底面，Pc＆amp; gt; PB;需要图5来改善表面状态并降低表面复合率。