首先在中国！打开整个碳化硅产业链，三安集成完成大规模生产平台的建设

中国整个产业链的化合物半导体制造平台-Sanan Integration最近宣布，它已经完成了碳化硅MOSFET器件的大规模生产平台的建设。

首款1200V80mΩ产品已经开发并通过了一系列产品性能和可靠性测试。

它可以广泛用于光伏逆变器，开关电源，脉冲电源，高压DC / DC，新能源充电和电机驱动应用。

帮助减小系统体积，减少系统功耗并增加电源系统的功率密度。

目前有许多客户处于样品测试阶段。

作为中国的“第十四个五年计划”，已经浮出水面，对第三代半导体项目的投资加大了。

据不完全统计，到2020年，有8家公司计划投资总额超过430亿元，届时将出现“井喷”。

在建设碳化硅和氮化镓半导体建设项目。

Sanan Integrated说：“可持续的竞争将有助于产业链的上下游协调发展。

我们将加快新产品的发布和能力建设，以保持先发优势”。

据悉，三安集成碳化硅肖特基二极管将于2018年投放市场，从650V到1700V的产品线布局已经完成，已出货超过100万台。

该设备的高可靠性赢得了客户的一致好评。

与传统的基于硅的IGBT功率器件相比，宽带隙碳化硅材料具有“更高，更快和更强”的特性-更高的耐压和耐热性，更快的开关频率，更低的开关损耗。

出色的高温和高压特性使碳化硅MOSFET在大功率应用中表现出色，尤其是在高压应用中。

在相同功率下，碳化硅MOSFET本身具有很小的器件损耗，这大大降低了器件的散热要求，并使系统朝着小型化，轻量化和集成化的方向发展。

这对于“地球一英寸”的电源系统来说非常重要，例如新能源汽车充电器OBC，服务器电源等等。

从碳化硅肖特基二极管到MOSFET，三安集成已在三年内完成了碳化硅器件产品线的布局。

在确保设备性能的前提下，我们提供高质量和高可靠性的碳化硅产品。

第一款工业级碳化硅MOSFET采用平面设计，具有出色的体二极管能力，高温DC特性和出色的阈值电压稳定性。

体二极管功能更强由于器件结构的原因，碳化硅MOSFET的体二极管是PiN二极管，其导通电压高且损耗大。

在实际使用中，肖特基二极管通常并联连接以便续流以减少系统损耗。

Sanan集成的碳化硅MOSFET通过优化器件的结构和布局大大提高了碳化硅体二极管的电流容量，而无需额外的并联二极管，从而降低了系统成本和系统体积。

当前如何获得具有优异的阈值电压稳定性的高质量碳化硅栅氧化物结构是当前工业中的普遍问题。

栅极氧化物的质量不仅影响MOSFET的沟道电流容量，而且会引起阈值漂移现象，在严重的情况下会导致可靠性故障。

通过反复试验和优化栅极氧化条件，三安集成大大提高了阈值电压的稳定性，并且1000hr的阈值漂移在0.2V以内。

21IC的专家已经注意到，与传统的硅器件相比，碳化硅的固有性能优势导致了在高性能和高效率应用中的巨大市场需求。

目前，工业上一直存在碳化硅MOSFET的短缺。

Sanan Integration这次已完成。

建立碳化硅MOSFET器件的量产平台必将加速碳化硅器件的产能扩展，并推动碳化硅在更多领域的应用和扩展。