湖南三安半导体项目进展迅速，第三代半导体项目主体已封顶

最近，位于湖南三安半导体项目第一阶段（第一阶段）的溅射车间的主要结构已被推翻。

这是在成功完成M3器件包装厂和M4碳化硅生长厂主结构封顶之后，该项目建设中的另一个重要时刻。

据报道，溅射厂位于项目的东南角，占地5500平方米，总建筑面积约6000平方米。

该设备的主要功能是在芯片的每个表面上溅射膜，以通过溅射技术保护芯片。

单一建筑物于10月5日开挖，正零零结构的施工于12月2日完成，最后一个屋顶于12月25日浇筑。

M4碳化硅晶体生长厂占地面积8,000平方米，建筑面积12,000平方米。

就建筑面积而言，它是所有单体中的第四大单体。

建筑结构是钢筋混凝土结构。

该装置于9月3日正式破土动工，主体结构已于12月24日成功封顶。

M4碳化硅生长工厂结构的封盖为湖南三省整个产业链的整体封盖打开了重要的一环。

半导体项目。

M3设备包装厂占地面积11,000平方米，建筑面积33,000平方米，是整个项目中最高的建筑物，结构层数最多。

自9月1日开始施工以来，单体的屋顶施工已于12月20日完成，比整体计划早了7天。

据了解，这三座单幢式建筑均已实现结构屋面设计，标志着整个项目第二阶段主体工程的完成。

随后的废水站，M1A晶体生长和M2B芯片工厂厂房将在2021年1月中旬和1月下旬竣工，半导体项目的整个产业链将完全整合。

来源：长沙高新区原标题：新闻|湖南省三安市第三代半导体项目的三家工厂的主体被一个接一个的封顶。

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